我司合作研制的深紫外共焦光致發光（PL）譜儀迎來新的里程碑——在客戶處安裝調試過程中，在低溫下測試到了氮化鋁（AlN）的帶邊發光。突破了長期以來對于AlN的帶邊峰，到底是樣品不好發不出光來還是設備不好測不出來的羅生門。

如圖1所示，在同一變溫樣品臺上同時就近擺放一塊AlN樣品和一塊Al0.7Ga0.3N樣品作為對比。以194.5 nm的深紫外飛秒激光器激發，在-190℃的低溫下，AlN樣品在約198 nm的位置處顯示出了明顯的帶邊發光峰，經過擬合峰位為198.3 nm，而在對比樣品上在這一段光譜區間沒有任何發光。進一步地可以測量熒光壽命曲線，如圖1的內插圖所示。

圖1 紅線和藍線分別是在 -190℃ 的溫度下在同一樣品臺上和同等條件下AlN樣品和作為對比樣品的Al0.7Ga0.3N的深紫外光致發光譜。內插圖為AlN在198.3 nm發光峰的熒光壽命曲線。

需要說明的是，雖然塊體AlN禁帶寬度的理論值是6.2 eV（對應200nm發光波長），而實驗上通過橢偏儀吸收譜測到的比較公*的禁帶寬度也在6.1 eV上下（對應203nm發光波長），但是隨著溫度的降低會導致禁帶寬度加大，帶邊發光波長進一步減?。▍⒖嘉墨I[1]），和我們測到的結果趨勢一致。

參考文獻：

[1] "AlN bandgap temperature dependence from its optical properties", Journal of Crystal Growth, 310 (17), 4007 - 4010 (2008).